casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPH4R606NH,L1Q
Número da peça de fabricante | TPH4R606NH,L1Q |
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Número da peça futura | FT-TPH4R606NH,L1Q |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | U-MOSVIII-H |
TPH4R606NH,L1Q Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3965pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.6W (Ta), 63W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOP Advance (5x5) |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH4R606NH,L1Q Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPH4R606NH,L1Q-FT |
2SK3868(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK4016(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10A60W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel