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Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CH C5G

Name: TSM60N1R4CH C5G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM60N1R4CH C5G
Price: 0.368256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (335 reviews)

Número da peça MFG: TSM60N1R4CH C5G

Quantidade disponível: 32020 Peças

Preço de referência: USD 0.368256

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve: - MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TSM60N1R4CH C5G.pdf

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TSM60N1R4CH C5G Especificações

Número da peça de fabricante	TSM60N1R4CH C5G
Número da peça futura	FT-TSM60N1R4CH C5G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TSM60N1R4CH C5G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	38W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-251 (IPAK)
Pacote / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60N1R4CH C5G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TSM60N1R4CH C5G-FT

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