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Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH,LQ

Número da peça MFG
TPN3300ANH,LQ
Quantidade disponível
14650 Peças
Preço de referência
USD 0.2726
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Data de envio
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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TPN3300ANH,LQ Especificações

Número da peça de fabricante TPN3300ANH,LQ
Número da peça futura FT-TPN3300ANH,LQ
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series U-MOSVIII-H
TPN3300ANH,LQ Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 50V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso 8-PowerVDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN3300ANH,LQ Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TPN3300ANH,LQ-FT

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