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TSM4ND65CI Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI

Número da peça MFG
TSM4ND65CI
Quantidade disponível
39430 Peças
Preço de referência
USD 0.912
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição breve
- 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
TSM4ND65CI.pdf
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TSM4ND65CI Especificações

Número da peça de fabricante TSM4ND65CI
Número da peça futura FT-TSM4ND65CI
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
TSM4ND65CI Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 16.8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 596pF @ 50V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 41.6W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor ITO-220
Pacote / caso TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM4ND65CI Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TSM4ND65CI-FT

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