casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD18502Q5B
Número da peça de fabricante | CSD18502Q5B |
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Número da peça futura | FT-CSD18502Q5B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NexFET™ |
CSD18502Q5B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Ta), 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5070pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.2W (Ta), 156W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD18502Q5B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD18502Q5B-FT |
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M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
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LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel