casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM2N7000KCT A3G
Número da peça de fabricante | TSM2N7000KCT A3G |
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Número da peça futura | FT-TSM2N7000KCT A3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TSM2N7000KCT A3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7.32pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 400mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92 |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM2N7000KCT A3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TSM2N7000KCT A3G-FT |
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