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Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT A3G

Name: TSM1NB60SCT A3G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM1NB60SCT A3G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (76 reviews)

Número da peça MFG: TSM1NB60SCT A3G

Quantidade disponível: 47170 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve: - MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TSM1NB60SCT A3G.pdf

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TSM1NB60SCT A3G Especificações

Número da peça de fabricante	TSM1NB60SCT A3G
Número da peça futura	FT-TSM1NB60SCT A3G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TSM1NB60SCT A3G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	500mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	138pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-92
Pacote / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM1NB60SCT A3G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TSM1NB60SCT A3G-FT

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