casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / TSC966CT A3G
Número da peça de fabricante | TSC966CT A3G |
---|---|
Número da peça futura | FT-TSC966CT A3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TSC966CT A3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 400V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Potência - Max | 1W |
Freqüência - Transição | 50MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSC966CT A3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TSC966CT A3G-FT |
2SC3328-Y,T6CKF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4604,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4604,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4604,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4682,T6CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4682,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage