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Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH,L1Q

Número da peça MFG
TPH2010FNH,L1Q
Quantidade disponível
29550 Peças
Preço de referência
USD 0.476
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Data de envio
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
TPH2010FNH,L1Q.pdf
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TPH2010FNH,L1Q Especificações

Número da peça de fabricante TPH2010FNH,L1Q
Número da peça futura FT-TPH2010FNH,L1Q
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series U-MOSVIII-H
TPH2010FNH,L1Q Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 100V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso 8-PowerVDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH2010FNH,L1Q Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TPH2010FNH,L1Q-FT

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