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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2963(TE12L,F)

Name: 2SK2963(TE12L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK2963(TE12L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (338 reviews)

Número da peça MFG: 2SK2963(TE12L,F)

Quantidade disponível: 85480 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: - MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: 2SK2963(TE12L,F).pdf

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2SK2963(TE12L,F) Especificações

Número da peça de fabricante	2SK2963(TE12L,F)
Número da peça futura	FT-2SK2963(TE12L,F)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
2SK2963(TE12L,F) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PW-MINI
Pacote / caso	TO-243AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK2963(TE12L,F) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	2SK2963(TE12L,F)-FT

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