casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / TPD3E001DRSR
Número da peça de fabricante | TPD3E001DRSR |
---|---|
Número da peça futura | FT-TPD3E001DRSR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TPD3E001DRSR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Steering (Rail to Rail) |
Canais unidirecionais | 3 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 5.5V (Max) |
Tensão - Breakdown (Min) | 11V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | - |
Potência - Pulso de Pico | 90W |
Proteção de linha de energia | Yes |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-SON-EP (3x3) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD3E001DRSR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPD3E001DRSR-FT |
DF2B7M2SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M3SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S7MSL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF6D5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K20TI144-4N
Intel
M2GL050-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SGES
Intel
5SGSMD3H1F35C2N
Intel