casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / TPD3E001DRSR
Número da peça de fabricante | TPD3E001DRSR |
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Número da peça futura | FT-TPD3E001DRSR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TPD3E001DRSR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Steering (Rail to Rail) |
Canais unidirecionais | 3 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 5.5V (Max) |
Tensão - Breakdown (Min) | 11V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | - |
Potência - Pulso de Pico | 90W |
Proteção de linha de energia | Yes |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-SON-EP (3x3) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD3E001DRSR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPD3E001DRSR-FT |
DF2B7M2SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M3SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S7MSL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF6D5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C5F256C8N
Intel
10AX027E4F27I3LG
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V2000T-1FHG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C6N
Intel