casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / DF2B12M4SL,L3F
Número da peça de fabricante | DF2B12M4SL,L3F |
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Número da peça futura | FT-DF2B12M4SL,L3F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DF2B12M4SL,L3F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | - |
Canais Bidirecionais | 1 |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 11V (Max) |
Tensão - Breakdown (Min) | 11.5V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 22V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 1A (8/20µs) |
Potência - Pulso de Pico | 22W |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | 0.2pF @ 1MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SL2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2B12M4SL,L3F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DF2B12M4SL,L3F-FT |
DF5A5.6JE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2CJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6CJE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2CJE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S30FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8AFS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S16FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel