casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / TPD2E001DRST-NM
Número da peça de fabricante | TPD2E001DRST-NM |
---|---|
Número da peça futura | FT-TPD2E001DRST-NM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TPD2E001DRST-NM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Steering (Rail to Rail) |
Canais unidirecionais | 2 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 5.5V (Max) |
Tensão - Breakdown (Min) | 11V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | - |
Potência - Pulso de Pico | - |
Proteção de linha de energia | Yes |
Aplicações | Ethernet |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-SON-EP (3x3) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD2E001DRST-NM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPD2E001DRST-NM-FT |
DF2B6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M2SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M3SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S7MSL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5CGTFD7D5F27I7N
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC240-3N
Intel
EP4SGX110HF35I4
Intel