casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / TPD2E001DRST-NM
Número da peça de fabricante | TPD2E001DRST-NM |
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Número da peça futura | FT-TPD2E001DRST-NM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TPD2E001DRST-NM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Steering (Rail to Rail) |
Canais unidirecionais | 2 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 5.5V (Max) |
Tensão - Breakdown (Min) | 11V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | - |
Potência - Pulso de Pico | - |
Proteção de linha de energia | Yes |
Aplicações | Ethernet |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-SON-EP (3x3) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD2E001DRST-NM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPD2E001DRST-NM-FT |
DF2B6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M2SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M3SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S7MSL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100E-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG484C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
5SGXEA5N3F45I3LN
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
XC5VLX110T-2FF1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel