casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / TPD2E001DRSR
Número da peça de fabricante | TPD2E001DRSR |
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Número da peça futura | FT-TPD2E001DRSR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TPD2E001DRSR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Steering (Rail to Rail) |
Canais unidirecionais | 2 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 5.5V (Max) |
Tensão - Breakdown (Min) | 11V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | - |
Potência - Pulso de Pico | - |
Proteção de linha de energia | Yes |
Aplicações | Ethernet |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-SON-EP (3x3) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD2E001DRSR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPD2E001DRSR-FT |
DF2B7SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M2SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M3SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S7MSL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M4SL,L3F
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LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation