casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TP0604N3-G
Número da peça de fabricante | TP0604N3-G |
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Número da peça futura | FT-TP0604N3-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TP0604N3-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 430mA (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 740mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP0604N3-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TP0604N3-G-FT |
TPC6011(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
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