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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M)
- Número da peça MFG
- TPC6012(TE85L,F,M)
- Quantidade disponível
- 63390 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- U-MOSIV MOSFET N-CH 20V 6A VS6
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- TPC6012(TE85L,F,M).pdf
TPC6012(TE85L,F,M) Especificações
| Número da peça de fabricante | TPC6012(TE85L,F,M) |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-TPC6012(TE85L,F,M) |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | U-MOSIV |
| TPC6012(TE85L,F,M) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V |
| Vgs (máx.) | ±12V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VS-6 (2.9x2.8) |
| Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPC6012(TE85L,F,M) Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | TPC6012(TE85L,F,M)-FT |
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