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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M)

Name: TPC6012(TE85L,F,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC6012(TE85L,F,M)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (548 reviews)

Número da peça MFG: TPC6012(TE85L,F,M)

Quantidade disponível: 63390 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIV MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TPC6012(TE85L,F,M).pdf

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TPC6012(TE85L,F,M) Especificações

Número da peça de fabricante	TPC6012(TE85L,F,M)
Número da peça futura	FT-TPC6012(TE85L,F,M)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIV
TPC6012(TE85L,F,M) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	630pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	VS-6 (2.9x2.8)
Pacote / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC6012(TE85L,F,M) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TPC6012(TE85L,F,M)-FT

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