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Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W,S1F
- Número da peça MFG
- TK35N65W,S1F
- Quantidade disponível
- 71270 Peças
- Preço de referência
- USD 5.72
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- TK35N65W,S1F.pdf
TK35N65W,S1F Especificações
| Número da peça de fabricante | TK35N65W,S1F |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-TK35N65W,S1F |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | DTMOSIV |
| TK35N65W,S1F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.1mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 270W (Tc) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
| Pacote / caso | TO-247-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK35N65W,S1F Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | TK35N65W,S1F-FT |
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