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TK35N65W,S1F Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W,S1F

Número da peça MFG
TK35N65W,S1F
Quantidade disponível
71270 Peças
Preço de referência
USD 5.72
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Data de envio
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
TK35N65W,S1F.pdf
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TK35N65W,S1F Especificações

Número da peça de fabricante TK35N65W,S1F
Número da peça futura FT-TK35N65W,S1F
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series DTMOSIV
TK35N65W,S1F Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 270W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-247
Pacote / caso TO-247-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK35N65W,S1F Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TK35N65W,S1F-FT

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