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Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W,S1VF

Número da peça MFG
TK39N60W,S1VF
Quantidade disponível
59370 Peças
Preço de referência
USD 8.32
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Data de envio
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
DTMOSIV MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
TK39N60W,S1VF.pdf
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TK39N60W,S1VF Especificações

Número da peça de fabricante TK39N60W,S1VF
Número da peça futura FT-TK39N60W,S1VF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series DTMOSIV
TK39N60W,S1VF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 38.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.9mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
Recurso FET Super Junction
Dissipação de energia (máx.) 270W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-247
Pacote / caso TO-247-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK39N60W,S1VF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TK39N60W,S1VF-FT

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