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Toshiba Semiconductor and Storage TK50P03M1(T6RSS-Q)

Name: TK50P03M1(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK50P03M1(T6RSS-Q)
Price: 0.27144 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (765 reviews)

Número da peça MFG: TK50P03M1(T6RSS-Q)

Quantidade disponível: 99700 Peças

Preço de referência: USD 0.27144

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVI-H MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf

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TK50P03M1(T6RSS-Q) Especificações

Número da peça de fabricante	TK50P03M1(T6RSS-Q)
Número da peça futura	FT-TK50P03M1(T6RSS-Q)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVI-H
TK50P03M1(T6RSS-Q) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	50A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	25.3nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	47W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DP
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK50P03M1(T6RSS-Q) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK50P03M1(T6RSS-Q)-FT

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