casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLR8729PBF
Número da peça de fabricante | IRLR8729PBF |
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Número da peça futura | FT-IRLR8729PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRLR8729PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 55W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR8729PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRLR8729PBF-FT |
IRLR3714ZTR
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XC5VLX30-1FF676I
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AGL600V2-FG144
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LFXP2-8E-5MN132C
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