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Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DB(STA4,Q,M)

Name: TK4A60DB(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4A60DB(STA4,Q,M)
Availability: InStock
Rating: 4.9 (666 reviews)

Número da peça MFG: TK4A60DB(STA4,Q,M)

Quantidade disponível: 77990 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: π-MOSVII MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK4A60DB(STA4,Q,M).pdf

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TK4A60DB(STA4,Q,M) Especificações

Número da peça de fabricante	TK4A60DB(STA4,Q,M)
Número da peça futura	FT-TK4A60DB(STA4,Q,M)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	π-MOSVII
TK4A60DB(STA4,Q,M) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	35W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220SIS
Pacote / caso	TO-220-3 Full Pack
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK4A60DB(STA4,Q,M) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK4A60DB(STA4,Q,M)-FT

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