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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8101(TE85L,F,M

Name: TPCF8101(TE85L,F,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCF8101(TE85L,F,M
Availability: InStock
Rating: 4.6 (791 reviews)

Número da peça MFG: TPCF8101(TE85L,F,M

Quantidade disponível: 62000 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIII MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TPCF8101(TE85L,F,M.pdf

TPCF8101(TE85L,F,M Especificações

Número da peça de fabricante	TPCF8101(TE85L,F,M
Número da peça futura	FT-TPCF8101(TE85L,F,M
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIII
TPCF8101(TE85L,F,M Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	VS-8 (2.9x1.5)
Pacote / caso	8-SMD, Flat Lead
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCF8101(TE85L,F,M Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TPCF8101(TE85L,F,M-FT

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