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Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E
- Número da peça MFG
- TK10J80E,S1E
- Quantidade disponível
- 44620 Peças
- Preço de referência
- USD 1.98912
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- π-MOSVIII MOSFET N-CH 800V TO-3PN
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- TK10J80E,S1E.pdf
TK10J80E,S1E Especificações
| Número da peça de fabricante | TK10J80E,S1E |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-TK10J80E,S1E |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | π-MOSVIII |
| TK10J80E,S1E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P(N) |
| Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK10J80E,S1E Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | TK10J80E,S1E-FT |
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