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Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E

Name: TK10J80E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10J80E,S1E
Price: 1.98912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (583 reviews)

Número da peça MFG: TK10J80E,S1E

Quantidade disponível: 44620 Peças

Preço de referência: USD 1.98912

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: π-MOSVIII MOSFET N-CH 800V TO-3PN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK10J80E,S1E.pdf

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TK10J80E,S1E Especificações

Número da peça de fabricante	TK10J80E,S1E
Número da peça futura	FT-TK10J80E,S1E
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	π-MOSVIII
TK10J80E,S1E Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	250W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-3P(N)
Pacote / caso	TO-3P-3, SC-65-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK10J80E,S1E Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK10J80E,S1E-FT

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