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Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W,S1VQ

Name: TK31J60W,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31J60W,S1VQ
Price: 6.76 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (10 reviews)

Número da peça MFG: TK31J60W,S1VQ

Quantidade disponível: 99050 Peças

Preço de referência: USD 6.76

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: DTMOSIV MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK31J60W,S1VQ.pdf

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TK31J60W,S1VQ Especificações

Número da peça de fabricante	TK31J60W,S1VQ
Número da peça futura	FT-TK31J60W,S1VQ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	DTMOSIV
TK31J60W,S1VQ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	30.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V
Recurso FET	Super Junction
Dissipação de energia (máx.)	230W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-3P(N)
Pacote / caso	TO-3P-3, SC-65-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK31J60W,S1VQ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK31J60W,S1VQ-FT

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