casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI8461DB-T2-E1
Número da peça de fabricante | SI8461DB-T2-E1 |
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Número da peça futura | FT-SI8461DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI8461DB-T2-E1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 8V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-Microfoot |
Pacote / caso | 4-XFBGA, CSPBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8461DB-T2-E1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI8461DB-T2-E1-FT |
SQJA86EP-T1_GE3
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SQJA82EP-T1_GE3
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