casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUD19N20-90-T4-E3
Número da peça de fabricante | SUD19N20-90-T4-E3 |
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Número da peça futura | FT-SUD19N20-90-T4-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUD19N20-90-T4-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252, (D-Pak) |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD19N20-90-T4-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUD19N20-90-T4-E3-FT |
SI8407DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8416DB-T2-E1
Vishay Siliconix
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XC7S100-2FGGA484I
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
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5AGXFB1H4F35C4N
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