casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUD06N10-225L-GE3
Número da peça de fabricante | SUD06N10-225L-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SUD06N10-225L-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUD06N10-225L-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252AA |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD06N10-225L-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUD06N10-225L-GE3-FT |
SI8483DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8497DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8406DB-T2-E1
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SI3447CDV-T1-E3
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SI3483CDV-T1-E3
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SI8407DB-T2-E1
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SI8416DB-T2-E1
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SI8441DB-T2-E1
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SI8417DB-T2-E1
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SI8447DB-T2-E1
Vishay Siliconix
A54SX32-1TQ144M
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LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.