casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI8406DB-T2-E1
Número da peça de fabricante | SI8406DB-T2-E1 |
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Número da peça futura | FT-SI8406DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI8406DB-T2-E1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 8V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
Pacote / caso | 6-UFBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8406DB-T2-E1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI8406DB-T2-E1-FT |
2N6661JTXL02
Vishay Siliconix
2N6661JTXP02
Vishay Siliconix
2N6661JTXV02
Vishay Siliconix
VP0808B
Vishay Siliconix
VP0808B-2
Vishay Siliconix
VP0808B-E3
Vishay Siliconix
VP1008B
Vishay Siliconix
SIDR626DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR668DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR870ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation