casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / STS5DP3LLH6
Número da peça de fabricante | STS5DP3LLH6 |
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Número da peça futura | FT-STS5DP3LLH6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DeepGATE™, STripFET™ H6 |
STS5DP3LLH6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 639pF @ 25V |
Potência - Max | 2.7W |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STS5DP3LLH6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STS5DP3LLH6-FT |
EPC2110
EPC
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