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EPC EPC2106ENGRT

Número da peça MFG
EPC2106ENGRT
Quantidade disponível
24030 Peças
Preço de referência
USD 0.6272
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
EPC
Descrição breve
eGaN® GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
EPC2106ENGRT.pdf
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EPC2106ENGRT Especificações

Número da peça de fabricante EPC2106ENGRT
Número da peça futura FT-EPC2106ENGRT
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series eGaN®
EPC2106ENGRT Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 50V
Potência - Max -
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor Die
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2106ENGRT Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição EPC2106ENGRT-FT

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