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STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP

Name: STQ2HNK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STQ2HNK60ZR-AP
Price: 0.291312 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (527 reviews)

Número da peça MFG: STQ2HNK60ZR-AP

Quantidade disponível: 48770 Peças

Preço de referência: USD 0.291312

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: SuperMESH™ MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STQ2HNK60ZR-AP.pdf

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STQ2HNK60ZR-AP Especificações

Número da peça de fabricante	STQ2HNK60ZR-AP
Número da peça futura	FT-STQ2HNK60ZR-AP
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SuperMESH™
STQ2HNK60ZR-AP Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	500mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-92-3
Pacote / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STQ2HNK60ZR-AP Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STQ2HNK60ZR-AP-FT

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