casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STL13N65M2

| Número da peça de fabricante | STL13N65M2 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-STL13N65M2 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | MDmesh™ M2 |
| STL13N65M2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 475 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±25V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 100V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 52W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerFlat™ (5x6) HV |
| Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| STL13N65M2 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | STL13N65M2-FT |

STB12NM50FDT4
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STB12NM50N
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STB12NM60N
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STB15NM60ND
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XC6SLX100T-N3FG900C
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M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation

EP2A40F672C7
Intel

EP3SL200F1517C4
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XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.

XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.

LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

EPF10K10LC84-4
Intel

EPF81188ARC240-2
Intel

EP1C12Q240C7
Intel