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STMicroelectronics STQ1NK80ZR-AP

Name: STQ1NK80ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STQ1NK80ZR-AP
Price: 0.269896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (376 reviews)

Número da peça MFG: STQ1NK80ZR-AP

Quantidade disponível: 49480 Peças

Preço de referência: USD 0.269896

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: SuperMESH™ MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STQ1NK80ZR-AP.pdf

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STQ1NK80ZR-AP Especificações

Número da peça de fabricante	STQ1NK80ZR-AP
Número da peça futura	FT-STQ1NK80ZR-AP
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SuperMESH™
STQ1NK80ZR-AP Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-92-3
Pacote / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STQ1NK80ZR-AP Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STQ1NK80ZR-AP-FT

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