casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STI10NM60N
Número da peça de fabricante | STI10NM60N |
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Número da peça futura | FT-STI10NM60N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MDmesh™ II |
STI10NM60N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 70W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK (TO-262) |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI10NM60N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STI10NM60N-FT |
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XC6SLX100T-N3FG900C
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M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
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EP3SL200F1517C4
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XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
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EPF81188ARC240-2
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EP1C12Q240C7
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