casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD23202W10T
Número da peça de fabricante | CSD23202W10T |
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Número da peça futura | FT-CSD23202W10T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NexFET™ |
CSD23202W10T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | -6V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 512pF @ 6V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DSBGA (1x1) |
Pacote / caso | 4-UFBGA, DSBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD23202W10T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD23202W10T-FT |
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
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EP20K100EBI356-2X
Intel