casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STH320N4F6-2
Número da peça de fabricante | STH320N4F6-2 |
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Número da peça futura | FT-STH320N4F6-2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
STH320N4F6-2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13800pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | H²PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH320N4F6-2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STH320N4F6-2-FT |
TSM1N45CT B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM1NB60SCT B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM2N7000KCT B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM120N06LCS RLG
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TSM150P04LCS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM650N15CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM180N03CS RLG
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TSM180P03CS RLG
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TSM4436CS RLG
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TSM600P03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
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A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
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