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Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7000KCT B0G

Name: TSM2N7000KCT B0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM2N7000KCT B0G
Price: 0.058792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (52 reviews)

Número da peça MFG: TSM2N7000KCT B0G

Quantidade disponível: 64600 Peças

Preço de referência: USD 0.058792

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve: - MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TSM2N7000KCT B0G.pdf

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TSM2N7000KCT B0G Especificações

Número da peça de fabricante	TSM2N7000KCT B0G
Número da peça futura	FT-TSM2N7000KCT B0G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TSM2N7000KCT B0G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7.32pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	400mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-92
Pacote / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM2N7000KCT B0G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TSM2N7000KCT B0G-FT

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