casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STH150N10F7-2
Número da peça de fabricante | STH150N10F7-2 |
---|---|
Número da peça futura | FT-STH150N10F7-2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DeepGATE™, STripFET™ VII |
STH150N10F7-2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8115pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | H2Pak-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH150N10F7-2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STH150N10F7-2-FT |
TSM026NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM036N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM048NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM055N03EPQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM070NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM070NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel