casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STH140N6F7-2
Número da peça de fabricante | STH140N6F7-2 |
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Número da peça futura | FT-STH140N6F7-2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DeepGATE™, STripFET™ VII |
STH140N6F7-2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 158W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | H2Pak-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH140N6F7-2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STH140N6F7-2-FT |
TSM025NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM025NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM026NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM036N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM048NB06LCR RLG
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TSM055N03EPQ56 RLG
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TSM070NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
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5SGSED6K2F40I3L
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5SGSMD8K2F40I2LN
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XC4VLX60-12FFG1148C
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XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
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