casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / STGW50H60DF
Número da peça de fabricante | STGW50H60DF |
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Número da peça futura | FT-STGW50H60DF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
STGW50H60DF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 200A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 50A |
Potência - Max | 360W |
Energia de comutação | 890µJ (on), 860µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 217nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 62ns/178ns |
Condição de teste | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 55ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW50H60DF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STGW50H60DF-FT |
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Xilinx Inc.
A54SX32A-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484I6G
Intel
10M08DCF256C8G
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LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
Intel
EP1S40B956C7
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