casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / STGW10M65DF2
Número da peça de fabricante | STGW10M65DF2 |
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Número da peça futura | FT-STGW10M65DF2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | M |
STGW10M65DF2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 20A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 40A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
Potência - Max | 115W |
Energia de comutação | 120µJ (on), 270µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 28nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 19ns/91ns |
Condição de teste | 400V, 10A, 22 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 96ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW10M65DF2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STGW10M65DF2-FT |
IRGS30B60KPBF
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XC6SLX16-2FTG256I
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XC7S75-2FGGA484I
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M1A3P400-PQ208
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LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR1K
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EPF10K100EFC484-1N
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M2GL090S-1FGG676I
Microsemi Corporation
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EP1C12Q240C7
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