casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / STGW35NB60SD
Número da peça de fabricante | STGW35NB60SD |
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Número da peça futura | FT-STGW35NB60SD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerMESH™ |
STGW35NB60SD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 70A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 250A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 20A |
Potência - Max | 200W |
Energia de comutação | 840µJ (on), 7.4mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 83nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 92ns/1.1µs |
Condição de teste | 480V, 20A, 100 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 44ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW35NB60SD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STGW35NB60SD-FT |
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