casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / STGW8M120DF3
Número da peça de fabricante | STGW8M120DF3 |
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Número da peça futura | FT-STGW8M120DF3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | M |
STGW8M120DF3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 16A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 32A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 8A |
Potência - Max | 167W |
Energia de comutação | 390µJ (on), 370µJ (Off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 32nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 20ns/126ns |
Condição de teste | 600V, 8A, 33 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 103ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW8M120DF3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STGW8M120DF3-FT |
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