casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STD8NM60N-1
Número da peça de fabricante | STD8NM60N-1 |
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Número da peça futura | FT-STD8NM60N-1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MDmesh™ II |
STD8NM60N-1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 70W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I-PAK |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD8NM60N-1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STD8NM60N-1-FT |
STB43N65M5
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LFXP6E-3TN144C
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XCV1000E-8FG900C
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A3P400-1FGG484I
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A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
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EP2AGX125DF25C5N
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