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STMicroelectronics STB45N60DM2AG

Name: STB45N60DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB45N60DM2AG
Price: 2.342032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (210 reviews)

Número da peça MFG: STB45N60DM2AG

Quantidade disponível: 95660 Peças

Preço de referência: USD 2.342032

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 600V 34A

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STB45N60DM2AG.pdf

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STB45N60DM2AG Especificações

Número da peça de fabricante	STB45N60DM2AG
Número da peça futura	FT-STB45N60DM2AG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
STB45N60DM2AG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	250W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D2PAK
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB45N60DM2AG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STB45N60DM2AG-FT

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