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STMicroelectronics STB42N60M2-EP

Name: STB42N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB42N60M2-EP
Price: 2.78184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (280 reviews)

Número da peça MFG: STB42N60M2-EP

Quantidade disponível: 26570 Peças

Preço de referência: USD 2.78184

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: MDmesh™ M2-EP MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STB42N60M2-EP.pdf

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STB42N60M2-EP Especificações

Número da peça de fabricante	STB42N60M2-EP
Número da peça futura	FT-STB42N60M2-EP
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	MDmesh™ M2-EP
STB42N60M2-EP Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	87 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2370pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	250W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D2PAK
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB42N60M2-EP Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STB42N60M2-EP-FT

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