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Taiwan Semiconductor Corporation TSM052N06PQ56 RLG

Name: TSM052N06PQ56 RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM052N06PQ56 RLG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (75 reviews)

Número da peça MFG: TSM052N06PQ56 RLG

Quantidade disponível: 34080 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve: - MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TSM052N06PQ56 RLG.pdf

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TSM052N06PQ56 RLG Especificações

Número da peça de fabricante	TSM052N06PQ56 RLG
Número da peça futura	FT-TSM052N06PQ56 RLG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TSM052N06PQ56 RLG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3686pF @ 30V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	83W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PDFN (5x6)
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM052N06PQ56 RLG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TSM052N06PQ56 RLG-FT

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