casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STB22NM60N
Número da peça de fabricante | STB22NM60N |
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Número da peça futura | FT-STB22NM60N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MDmesh™ II |
STB22NM60N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB22NM60N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STB22NM60N-FT |
TSM033NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM020N04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM120N06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM160N10LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM170N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM650N15CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM061NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM160P04LCRHRLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM052N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM120N10PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel