casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHG180N60E-GE3

| Número da peça de fabricante | SIHG180N60E-GE3 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SIHG180N60E-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | E |
| SIHG180N60E-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1085pF @ 100V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 156W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AC |
| Pacote / caso | TO-247-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIHG180N60E-GE3 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SIHG180N60E-GE3-FT |

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