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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T(TE85L,F)

Name: SSM3J306T(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J306T(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.5 (239 reviews)

Número da peça MFG: SSM3J306T(TE85L,F)

Quantidade disponível: 88650 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: - MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SSM3J306T(TE85L,F).pdf

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SSM3J306T(TE85L,F) Especificações

Número da peça de fabricante	SSM3J306T(TE85L,F)
Número da peça futura	FT-SSM3J306T(TE85L,F)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
SSM3J306T(TE85L,F) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TSM
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3J306T(TE85L,F) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SSM3J306T(TE85L,F)-FT

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